除了人造钻石，高阻硅是威力晶体材料适合极宽范围从(1.2 µm) 到mm (1000 µm)波。和钻石相比，它要便宜的多，并且生长制造更容易。而且他尺寸更大，更容易制造，THZ技术的快速发展，就基于该优点。对于THZ应用，我们提供在1000 µm (对于更长波长，3000甚至8000微米)透过率达到50-54%的High Resistivity Float Zone Silicon (HRFZ-Si)。

Fig.1 Transmission and reflection of HRFZ-Si 5.0 mm-thick sample in THz range.

HRFZ-Si 在THZ波段传输损耗低。如图2所示，HRFZ-Si 中的THZ波形和空气中的波形非常相似。这表明HRFZ-Si 的吸收很少。

Fig.2 The THz signals transmitted through air and HRFZ-Si.(*)

合成电解质硅的介电常数由传导率决定（例如：自由电子-载流子浓度）。图3显示的是在1THZ下，不同纯度下的硅的介电常数.低掺杂的介电常数接近真实值，大约等于高频介电常数。随着掺杂浓度的提高，真实的介电常数将变成负数，而且不能被忽略。介电常数表征的是THZ波的传输损耗特性。损耗系数可以用下面的公式计算：tanδ=1/(ω*εv*ε0*R), 这里 ω – 圆频率, εv – 真空下的介电常数（8.85*10-12 F/m）。ε0 –硅的介电常数(11.67), R是电阻值。例如，1THZ下，10 kOhm 阻值的HRFZ-Si损耗系数为1.54*10-5。

Fig.3 Real (solid, ε1) and imaginary (dashed, ε2) part of dielectric permittivity of n-type silicon with different impurity concentration at 1 THz.(**)